Samsung habla sobre la producción de chips Fab Roadmap hasta 3 nanómetros

La semana pasada, Samsung dio una actualización sobre la próxima fabricación de sus chips, que van desde 10nm hasta 7nm, compartiendo los primeros detalles sobre su proceso de producción de 3nm. En la segunda mitad de este año comenzará a fabricar en su proceso de 7LPP, Low Power Plus de 7 nm basado en litografía EUV.

Samsung Electronics, líder mundial en soluciones avanzadas de tecnología de semiconductores, presentó hoy una serie de nuevas innovaciones de silicio en el corazón de la computación de alto rendimiento y los dispositivos conectados en el futuro.

Con actualizaciones integrales de hoja de ruta de tecnología de proceso de hasta 3 nanómetros (nm) en el ‘Samsung Foundry Forum (SFF) 2018 USA’ anual, Samsung Foundry se centra en proporcionar a los clientes las herramientas necesarias para diseñar y fabricar un sistema potente pero eficiente. -on-chips (SoC) para una amplia gama de aplicaciones.

“La tendencia hacia un mundo más inteligente y conectado hace que la industria exija más a los proveedores de silicio”, dijo Charlie Bae, vicepresidente ejecutivo y jefe del equipo de ventas y marketing de Foundry en Samsung Electronics. “Para satisfacer esa demanda, Samsung Foundry está impulsando la innovación a nivel de silicio que, en última instancia, proporcionará a las personas acceso a datos, análisis e información en formas nuevas y previamente inimaginables de mejorar las vidas humanas. Es imperativo para nosotros lograr el primer éxito del silicio para los diseños de chips de próxima generación de nuestros clientes “.
Actualizaciones de la hoja de ruta de tecnología de procesos

7LPP (7nm Low Power Plus): 7LPP, la primera tecnología de proceso de semiconductores para usar una solución de litografía EUV, está programada para su producción en la segunda mitad de este año. Los PI clave se encuentran en desarrollo, con el objetivo de completarlos en la primera mitad de 2019.

5LPE (5nm Low Power Early): a través de la innovación inteligente adicional del proceso 7LPP, 5LPE permitirá una mayor escala de área y beneficios de potencia ultrabaja.

4LPE/LPP (4nm Low Power Early / Plus): el uso de la tecnología FinFET altamente madura y verificada se extenderá al proceso de 4nm. Como la última generación de FinFET, 4nm proporciona un tamaño de celda más pequeño, mejor rendimiento y una aceleración más rápida al nivel estable de rendimiento mediante la adopción de 5LPE comprobados, lo que permite una migración fácil.

3GAAE/GAAP (3nm Gate-All-Around Early/Plus) : los nodos de proceso de 3nm adoptan GAA, la arquitectura de dispositivo de próxima generación. Para superar las limitaciones físicas de escalado y rendimiento de la arquitectura FinFET, Samsung está desarrollando su tecnología GAA única, MBCFET TM (FET multicanal de canal) que utiliza un dispositivo de nano hojas. Al mejorar el control de puerta, el rendimiento de los nodos de 3nm se mejorará significativamente.

Soluciones HPC (High-Performance Computing)
Samsung Foundry ofrece soluciones tecnológicas para impulsar los últimos centros de datos a hiperescala y acelerar el crecimiento de la Inteligencia Artificial (IA) y la capacidad de Aprendizaje Automático. Desde la última tecnología 7LPP y más allá con su capacidad EUV, hasta las direcciones IP de alta velocidad diferenciadas como 100 Gbps + SerDes además del innovador paquete heterogéneo 2.5D / 3D, Samsung ofrece soluciones de plataforma total para aumentar enormemente la potencia informática y acelerar la revolución AI .
Soluciones de dispositivos conectados

Desde unidades de microcontrolador de baja potencia (MCU) y dispositivos conectados de próxima generación hasta los vehículos autónomos más sofisticados basados ​​en comunicación 5G y Vehicle to Everything (V2X), Samsung Foundry ofrece plataformas completas con todas las características para permitir productos atractivos. Una amplia cartera de tecnología desde 28/18 FD-SOI con capacidad eMRAM y RF hasta procesos avanzados FinFET de 10/8 nm permitirá una gran experiencia para el usuario final para los dispositivos conectados.

El Sr. Bae continuó: “Durante el año pasado, nos hemos centrado en fortalecer nuestra cartera de procesos EUV para proporcionar a cada uno de nuestros clientes las mejores tecnologías. La aplicación de la estructura GAA a nuestro nodo de proceso de próxima generación nos permitirá liderar la apertura de un nuevo mundo inteligente y conectado, al tiempo que reforzaremos nuestro liderazgo tecnológico “.

One Reply to “Samsung habla sobre la producción de chips Fab Roadmap hasta 3 nanómetros”

  1. chaco

    Que tu dices 3nm pero que le pasa por la cabeza a estos tios woww……….. ese debe ser un avion cuando lo saquen al mercado jajajajjaajaja.

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